氧化銦錫（ITO）靶材

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氧化銦錫（ITO）靶材是一種常用于光電子器件和顯示器件制備的關(guān)鍵材料，具有優(yōu)良的透明性和導(dǎo)電性，可用于制備透明導(dǎo)電薄膜與透明電極，廣泛應(yīng)用于液晶顯示器、觸摸屏、光電二極管以及太陽能電池，有助于提高電池的光吸收和電能轉(zhuǎn)化效率。氧化銦錫（ITO）靶材以其高透明性和導(dǎo)電性能，在現(xiàn)代電子、光學(xué)和太陽能領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用，推動(dòng)了各種高性能電子器件的發(fā)展。

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品名	氧化銦錫（ITO）靶材
成分	In₂O₃:SnO₂ (90:10 ±0.5wt), 其他比例按照客戶要求
外觀	黑色或深灰色
純度(%)	≥ 99.99%
相對(duì)密度(%)	≥ 99.5%
制造規(guī)格(mm)	最大尺寸1200300平面靶 Φ135Φ152-162*L400-1000mm圓筒靶
電阻率(mΩ·cm)	≤1.8×10^-4Ω·cm
雜質(zhì)≤ (ppm)	Fe	Al	Si	Ni	Cu	Pb	Cr	Sum
雜質(zhì)≤ (ppm)	15	10	15	5	5	5	5	100

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